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Ultra high-Q photonic crystal nanocavity design: The effect of a low-epsilon slab material

机译:超高Q光子晶体纳米腔设计:a。的效果   低ε板坯材料

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摘要

We analyze the influence of the dielectric constant of the slab on thequality factor (Q) in slab photonic crystal cavities with a minimized verticallosses model. The higher value of Q in high-epsilon cavity is attributed to thelower mode frequency. The Q ratio in a high-epsilon (silicon) vs. low-epsilon(diamond) slab is examined as a function of mode volume (Vm). The mode volumecompensation technique is discussed. Finally, diamond cavity design isaddressed. The analytical results are compared to 3D FDTD calculations. In adouble heterostructure design, a Q=2.6*10^5 is obtained. The highest Q=1.3*10^6with Vm=1.77*(lambda/n)^3 in a local width modulation design is derived.
机译:我们用最小的垂直损耗模型分析了平板的介电常数对平板光子晶体腔中品质因数(Q)的影响。高ε腔中Q的较高值归因于较低的模频率。检查高ε(硅)板与低ε(金刚石)板中的Q比随模式体积(Vm)的变化。讨论了模式音量补偿技术。最后,提出了金刚石腔设计。将分析结果与3D FDTD计算进行比较。在双重异质结构设计中,获得了Q = 2.6 * 10 ^ 5。推导了局部宽度调制设计中最高的Q = 1.3 * 10 ^ 6,Vm = 1.77 *(λ/ n)^ 3。

著录项

  • 作者

    Bayn, Igal; Salzman, Joseph;

  • 作者单位
  • 年度 2008
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类

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